欧姆合金对MHEMT器件直流和高频性能的影响

摘要：

　　采用电子束光刻方式制备了栅长200nm的GaAs基MHEMT器件，着重研究了欧姆合金工艺对MHEMT器件的直流和高频性能的影响。进行和未进行欧姆合金的MHEMT的跨导(gm)、最大饱和漏电流密度(Jdss)、电流增益截止频率(fr)分别为504(187)mS/mm、623(324)mA/mm、105(70)GHz。试验结果表明，进行欧姆合金可以大幅度提高MHEMT器件的直流和高频性能。

关键词： 变性高电子迁移率晶体管 欧姆合金 电学性能 数值分析

作者: 徐静波 张海英 王文新 黎明 付晓君 刘亮 叶甜春

作者单位: 中国科学院 微电子研究所,北京 100029 中国科学院 物理研究所,北京 100080

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 840-842

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）