一种高精度可控CMOS带隙基准源的设计

摘要：

　　基于境外0.5um标准CMOS工艺,通过二级温度补偿和曲率校正,设计了一种高精度的带隙基准电路结构。借助电阻二次分压网络可产生0.5-3.5V的基准电压和可调的基准电流,使用Spectre进行仿真,仿真结果表明电路在-55-125℃范围内,最高温度系数约为10 ppm/℃,电源抑制比在85 dB以上,5V电源电压时总功耗约13mW,已应用于现场可编程模拟阵列(FPAA)设计中.

关键词： 基准源电路 带隙基准原理 温度控制 仿真分析

作者: 张义忠 刘伦才

作者单位: 中国电子科技集团公司 第二十四研究所 中国电子科技集团公司 第二十四研究所 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 25-28

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）