一种改进型非线性补偿带隙基准源

摘要：

　　提出了一种改进型非线性补偿CMOS带隙基准源,该基准源在已有非线性补偿带隙基准源的基础上做了改进,减少了原有电路的规模，在char0.35工艺下实现了电路。仿真结果表明,该基准源具有较高的温度稳定性以及电源抑制特性,在输出为563mV,温度由-25℃变化至125℃时,输出波动±0.1mV,电路的功耗为0.6mW,面积仅为0.04mm2。

关键词： 带隙基准源 电路结构 温度补偿 仿真分析

作者: 胡劫 余宁梅 刘伟

作者单位: 西安理工大学,西安 710048

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 36-40

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）