一种基于0.8μm CMOS工艺的斩波调制带隙基准源设计

摘要：

　　基于0.8μm的CMOS工艺,设计了一种包含斩波调制运放的电压带隙基准源.采用斩波调制运算放大器消除失调和噪声.HSPICE仿真结果显示,运放闭环增益70dB,基准源的PSRR 95dB.采用环形振荡器产生斩波频率,设定26ns的死区时间,保证运放的正常工作.该带隙基准源能实现低失调低噪声,同时对工艺参数和电源电压的变化具有较强的抑制能力。

关键词： 带隙基准源 运算放大器 电路设计 频率特性

作者: 向泱 方健 张波 钟昌贤 周咏

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 45-48

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）