一种新颖的高性能带隙基准源设计

摘要：

　　基于0.6μm BiCMOS工艺，设计了一种低温漂、高电源抑制的基准源。巧妙地利用了一个栅衬短接的NMOS管，在构成高阶温度补偿的同时，加速了基准源的启动。通过一个PTAT电流源完成了基准源的启动、提高了基准源的电源抑制能力，并且实现了一种简单的欠压保护功能。

关键词： 基准源 电路设计 温度补偿 欠压保护功能

作者: 赵斌 周泽坤

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 49-53

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）