P-bar保护环及其在LDO电路设计中的应用

摘要：

　　介绍了一种少子保护环结构，该结构由基区扩散条构成，能有效地抑制设计中合并器件的交叉注入，同时节约了管芯面积。最后给出了在LDO电路中的应用。

关键词： 低压差稳压器 电路设计 少子保护环结构 合并器件

作者: 余金峰 胡永贵

作者单位: 中国电子科技集团公司 第二十四研究所 中国电子科技集团公司 第二十四研究所 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 95-98

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）