一种应用于部分耗尽型SOI SRAM的高速低功耗TTL与CMOS接口电路

摘要：

　　介绍了一种新型分离自偏置TTL与CMOS接口电路。该电路具有高速、低功耗的优点，且其逻辑阈值电压对于工艺和电源电压的变化均不敏感，因而非常适宜应用于受电源噪声影响较大的SOI静态随机存取存储器电路中。

关键词： 接口电路 绝缘体上硅电路 电路结构 性能评价 阈值电压

作者: 田浩 张正选 张恩霞 贺威 俞文杰 王茹 陈明

作者单位: 中国科学院 上海微系统与信息技术研究所,上海 200050 中国科学院 研究生院,北京 100039 中国科学院 上海微系统与信息技术研究所,上海 200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 141-144

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）