C波段宽带GaAs HBT单片双平衡混频器
介绍了一种基于GaAs HBT的双平衡混频器。该混频器将射频、本振有源Balun集成其中,在RF和LO输入端分别采用不同的LC网络实现宽带的阻抗匹配。跨导级和开关单元之间采用交流耦合,并通过带宽扩展技术实现频带内的增益平坦。测量结果显示,该混频器匹配良好,射频端口Sll在3～10GHz频带内小于-10dB。在固定中频200MHz情况下测试,在4～8GHz射频频带内,平均增益10dB,波动小于1dB,中频输出端口对射频信号的隔离度优于25dB,对本振信号的隔离度优于28dB；本振-射频端口隔离度优于32dB。在3.3V直流电压下测得的功耗为66mw。
混频器 电路设计 阻抗匹配 性能评价
张健 张海英 陈立强 李志强 陈普峰
中国科学院 微电子研究所,北京 100029
国内会议
重庆
中文
159-162
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）