一种可与双极工艺集成的硅基光电探测器分析

摘要：

　　设计一种与双极工艺兼容的可集成硅基光电探测器.对所提出的探测器进行理论分析,建立了可与传统双极工艺集成的工艺制程。仿真分析表明：未添加增透膜,器件光敏面面积为800μm×1000μm,在波长850nm的光照情况下,光电探测器的响应度为0.4A/W,-3dB带宽为165MHz。

关键词： 光电探测器 器件结构 工艺流程 仿真分析

作者: 李珂 李泽宏 张有润 刘娟

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 286-289

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）