高性能PWM芯片输出控制T触发器的研究设计
研究设计了一款控制PWM输出的双极型上升沿T触发器。该触发器未采用传统双非门锁存结构，而通过内部电平控制实现对信号的锁存。芯片设计采用双极器件工艺，而非BiCMOS工艺，工艺实现简单。与TTL电路相比，该触发器所需晶体管少，且陛能稳定，延迟时间短。仿真结果表明，该触发器完全满足PWM输出控制的要求，并已经运用到DC-DCPWM芯片设计中，大幅提升了系统芯片的整体性能。
触发器 电路结构 芯片设计 仿真分析
王天军 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 宣荣喜
西安电子科技大学 微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
国内会议
重庆
中文
294-296
2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）