硅基多芯片组件工艺技术研究

摘要：

　　介绍了硅基多芯片组件(MCM-Si)的工艺流程和基本结构，并对其工艺特征及关键工艺因素进行了研究。硅多层布线及兼容焊盘，凸点的UBM结构、厚胶光刻、焊料凸点电镀及凸点回流成型、芯片凸点倒装焊等基础工艺是难点。通过大量的研究，基本建立了可应用于高可靠、高性能、小型化混合电路MCM-Si工艺技术平台。在该平台上研制的样品已通过H级可靠性摸底试验，其产品应用正在推广中。

关键词： 混合集成电路 硅基多芯片组件 工艺流程 结构分析

作者: 刘建华 刘欣 叶冬 罗驰

作者单位: 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 331-334

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）