一种有效抑制SiGe HBT基区中B掺杂向外扩散的方法

摘要：

　　在HBT外延生长SiGe基区时,通过掺入一定量(1×1020/cm3)的碳(C),有效抑制了SiGe HBT基区中高浓度硼(B)掺杂在器件热工艺过程中产生的热扩散和瞬态增强扩散效应,大大改善了HBT器件的直流特性和高频性能,Early电压达到2987V， 截止频率fr从7.4 GHz提高到12 GHz。

关键词： 双极晶体管 硼扩散现象 硅锗基区 新能评价

作者: 张静 许生健 张景 谭开洲 钟怡 廖路 王志宽 杨永晖

作者单位: 模拟集成电路国家级重点实验室 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060 Imperial College,London,UK

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 335-337

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）