一种BCD工艺兼容技术研究

摘要：

　　瞄准单片功率集成电路对BCD工艺的特殊需求,开展了BCD工艺兼容技术研究,解决了其关键技术问题,初步建立了 BCD工艺,制作出NPN管的BVCEO达到25V,β为50；VDMOS的BVDS达到35V,阈值电压为3V；PMOS的BVDS到14V,阈值电压为-0.8V；NMOS的BVDS达到15V,阈值电压为1.2v。

关键词： 功率器件 单片集成工艺技术 工艺流程 阈值电压

作者: 张正元 冯志成 郑纯 胡明雨

作者单位: 模拟集成电路国家级重点实验室,重庆 400060 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 338-341

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）