一种MOS结构γ探测器工艺设计对性能的影响

摘要：

　　辐射场效应管(RADFET)γ剂量探测器现在己经广泛应用到宇航、核电站和核医疗等部门的γ辐射剂量测量。RADFET γ剂量探测器是选用10Ω·cm左右、(100)晶面的n型硅单晶片，用改进的MOS场效应管加工工艺和特殊要求的氧化技术制作的一种特殊的P沟道增强型MOSFET。辐射灵敏度、一致性、稳定性以及温度响应是半导体探测器的重要指标。本文主要阐述了介绍了RADFETγ探测器的一些工艺对性能的影响，并对一些解决方法提出讨论。

关键词： 半导体探测器 γ辐射剂量测量 辐射场效应管 工艺设计 性能指标

作者: 刘虹宇 何海英 马露 周春芝 李元方 赵建兴

作者单位: 北京防化研究院,北京 102205 北京跟踪与通信技术研究所,北京 100094

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 348-349

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）