孔腐蚀工艺优化对良率的改善

摘要：

　　主要研究了孔腐蚀工艺模块对良率的影响，通过250V VDMOS工艺的具体例子，详细分析了孔腐蚀工艺存在的问题，并在不断的实验引导下改进优化孔腐蚀的工艺过程。最终确立了先湿法后干法的孔腐蚀工艺模块。在优化过孔腐蚀的工艺下，栅源漏电问题得到解决，前后两次工程批对比芯片良率提高了10％。

关键词： 孔腐蚀工艺 良率 工艺优化 形貌特征

作者: 刘侠 夏晓娟

作者单位: 东南大学 国家专用集成电路系统工程技术研究中心,江苏 南京 210096

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 350-352

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）