锗硅HBT生产中的参数控制和成品率控制

摘要：

　　介绍了锗硅HBT生产中获得的关于参数控制与成品率控制方面的经验。论述了生产中的标准工艺模块及其监控手段，以及影响EB结击穿电压、β、接触电阻和微波参数等方面的因素，以及成品率控制方面的经验。

关键词： 双极晶体管 锗硅器件 工艺流程 参教控制 成品率

作者: 王玉东 徐阳 窦维志 张伟 蒋志 刘志弘

作者单位: 清华大学 微电子学研究所,北京 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 358-362

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）