Ta/TaN作为Cu和NiSi接触的阻挡层研究

摘要：

　　研究了以Ta/TaN作为阻挡层的Cu在Nisi衬底上的接触的热学及电学稳定性。用四探针方法(FPP)、X射线衍射谱(XRM)、扫描电子显微镜(SEM)、深度俄歇电子能谱(AES)、电流-电压测试(I-V)及肖特基势垒高度拟合(SBH)等手段表征了了Cu/扩散阻挡层/NiSi/Si结构中Ta/TaN的阻挡特性。各项测试结果表明,Ta/TaN复合阻挡层是Cu在NiSi村底上的接触的扩散阻挡层的良好选择,其肖特基势垒特性在经过450℃30min退火后仍未改变。

关键词： 集成电路 互联技术 接触结构 阻挡层 性能评价

作者: 周觅 赵莹 黄巍 王保民 茹国平 蒋玉龙 李炳宗 屈新萍

作者单位: ASIC与系统国家重点实验室,复旦大学 微电子学系,上海 200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 387-390

在线出版日期: 2007-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）