a-SiC:H薄膜的r射线辐照效应
用射频(13.56MHz)反应溅射法制备了a-SiC:H薄膜,并将制得的薄膜采用高能r射线进行辐照.采用电阻率、Raman及红外光谱对薄膜的结构与特性变化规律进行表征.结构与特性分析表明:随r射线辐照剂量的增加,a-SiC:H薄膜存在结晶化的趋势,直接导致其电阻率的变小.通过与离子辐照进行比较,r射线辐照a-SiC:H薄膜与离子辐照a-SiC:H薄膜的效应完全不同.前者使之向晶态转变,而后者则使其中的晶态向非晶态转化.经r射线辐照后薄膜的透过率均低于原膜的透过率.但在部分波段内,原膜及低剂量处理后薄膜存在一定的增透作用.
r射线辐照 结晶 红外透过率 碳化硅薄膜 半导体材料
刘贵昂 贺德衍 谢二庆
湛江海洋大学基础科学系(广东湛江) 兰州大学物理系(甘肃兰州)
国内会议
厦门
中文
1532-1534
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）