一种高可靠性的a-Si:H TFT栅极驱动电路

摘要：

　　本文报道了一种具有高可靠性的集成a-Si：H TFT栅极驱动电路。该电路将低电平维持TFT偏置于较低的电压，减小a-Si：H TFT的阈值电压漂移。实验和模拟分析结果表明这种栅极驱动电路有10年以上的寿命，且能够在-20℃到80℃之间正常地工作。

关键词： 栅极驱动电路 结构设计 氢化非晶硅材料 薄膜晶体管

作者: 郑灿 廖聪维 陈韬 张盛东

作者单位: 北京大学深圳研究生院 广东 深圳 518055

会议类型: 国内会议

会议名称: 2012中国平板显示学术会议

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 314-317

在线出版日期: 2012-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）