采用不同透明电极的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管

摘要：

　　采用透明材料ITO和AZO为源漏电极，在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现，制备的薄膜晶体管表现出了良好的开关特性。其中采用AZO为电极的薄膜晶体管的场效应迁移率为1.95cm2/Vs，开关比为4.53×105，在正向偏压应力测试下，阈值电压的漂移量为4.49 V。

关键词： 薄膜晶体管 电学性能 透明电极 非晶铟镓锌氧化物 射频磁控溅射法

作者: 詹润泽 谢汉萍 董承远

作者单位: 上海交通大学电子工程系，TFT-LCD关键材料与技术国家重点工程实验室，上海，200240

会议类型: 国内会议

会议名称: 2012中国平板显示学术会议

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 338-341

在线出版日期: 2012-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）