Mg、F 共掺p型SnO2薄膜的光电性质研究

摘要：

　　本文将Mg、F共掺SnO2，考察不同掺杂比例下对SnO2薄膜光电性质的影响，并探讨实现p-型非晶氧化物TFT的可行性。结果表明，采用Mg、F共掺杂SnO2，不仅能扩宽SnO2薄膜的光学带隙，同时随着掺杂量的增加，SnO2薄膜的电阻率不断增加，霍尔测试结果说明，自由电子浓度不断下降，当靶材摩尔比超过1：4时，薄膜呈p型导电特征。

关键词： 半导体薄膜 氧化锡材料 掺杂改性 光电性质

作者: 廖巧生 李庆青 王智勇 杨瑞博 杨谢威 杜长运 偰正才 牛憨笨

作者单位: 深圳大学光电工程学院 光电子器件与系统教育部重点实验窒(深圳大学) 广东，深圳 518060

会议类型: 国内会议

会议名称: 2012中国平板显示学术会议

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 373-376

在线出版日期: 2012-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）