采用溅射法制作自对准顶栅结构的a-IGZO TFTs

摘要：

　　采用脉冲直流溅射的方式制作自对准顶栅结构a-IGZO TFT，研究退火处理对膜层及器件电学特性的影响。实验结果表明，在有源层图形化后和绝缘层沉积后分别进行退火，可有效地改善TFT器件的性能，得到较好的电学特性：Ion/Ioff>109，S为0.4V/dec，Vth为-2.5V，μ为7.6cm2/Vs。

关键词： 薄膜晶体管 制备工艺 退火处理 顶栅结构 溅射法

作者: 张耿 王娟 向桂华 林达祥 孙庆华 蔡君蕊 赵伟明

作者单位: 东莞宏威数码机械有限公司，广东省，523080 中山大学理工学院，广州市，510275 东莞有机发光显示产业技术研究院，广东省，523080 东莞彩显有机发光科技有限公司，广东省，523080 东莞宏威数码机械有限公司，广东省，523080 东莞有机发光显示产业技术研究院，广东省，523080 东莞彩显有机发光科技有限公司，广东省，523080

会议类型: 国内会议

会议名称: 2012中国平板显示学术会议

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 377-380

在线出版日期: 2012-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）