p-型Bi-Sb-Te-Se温差电薄膜材料的电化学制备及性能

摘要：

　　采用电化学控电位沉积的方法，在镍基体上制备了Bi-Sb-Te-Se温差电材料薄膜。为了提高其结晶度及温差电性能，对制备的温差电材料进行523K退火2h处理。通过XRD、ESEM、EDs等方法对电沉积薄膜的结构、形貌和组成进行了研究，并测试了在不同电位下制备的Bi-Sb-Te-Se薄膜的温差电性能。研究结果表明，在含有Bi3+、HTeO2+、SbO+和HTeO2+的溶液中，采用控电位沉积模式，可实现铋、锑、碲、硒四元共沉积，电沉积的Bi-Sb-Te-Se薄膜的掺杂浓度对沉积电位敏感。采用控电位电沉积制备的温差电材料能达到的最大功率因子为0.48 mw/(K2.m)，对应的薄膜材料组成为Bi0.37Sb1.62Te2.88Se0.19.

关键词： 温差电薄膜材料 电化学制备 电沉积 电位敏感

作者: 朱艳兵 王为

作者单位: 天津大学化工学院,天津 300072

会议类型: 国内会议

会议名称: 天津大学2011年博士生论坛化工分论坛

会议地点: 天津

会议语种:中文

页码: 262-267

在线出版日期: 2011-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）