影响碳化硅光导开关最小导通电阻的因素
采用2种电阻率的钒掺杂半绝缘6H-SiC晶体制作了横向结构的碳化硅光导开关，分别加载不同的偏压、并使用不同能量的激光触发开展光电导实验。对比实验结果表明：高暗态电阻率的碳化硅光导开关耐压特性远远优于低暗态电阻率的碳化硅光导开关，耐压从4kV提高到了32kV；但高暗态电阻率的开关导通电阻也较大，导通电阻为kΩ量级，比低暗态电阻率的碳化硅光导开关的近百Ω增加了1个量级。通过激光脉冲波形与光电流脉冲波形的比较，估算出2种光导开关的载流子寿命和载流子迁移率。将这2个参数与砷化镓光导开关进行比较，推导出低的载流子迁移率是碳化硅开关导通电阻较大的主要原因。在实验和分析的基础上改进设计，研制出了工作电压超过10kV、工作电流超过90A的碳化硅光导开关。
碳化硅光导开关 导通电阻 光电导实验 电阻率
刘金锋 袁建强 刘宏伟 赵越 姜苹 李洪涛 谢卫平
中国工程物理研究院流体物理研究所,四川绵阳 621900
国内会议
西安
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607-611
2011-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）