反向开关晶体管结构优化与特性测试

摘要：

　　对半导体脉冲功率开关反向开关晶体管(RSD)的结构进行了优化，在RSD中引入缓冲层，建立器件数值模型并作仿真分析,结果表明：缓冲层结构起到了截止电场的作用，使得器件基区得以减薄，较传统结构RSD阻断电压升高而开通电压降低。针对RSD的特殊工作方式，提出了RSD开通电压、关断时间等关键参数的测试方案并进行了实验测量。进行了RSD大电流开通试验，直径7．6cm的堆体在12kV主电压下成功通过峰值电流173kA，传输电荷32C。

关键词： 反向开关晶体管 结构优化 缓冲层结构 仿真模型 参数测量

作者: 梁琳 余亮 吴拥军 余岳辉

作者单位: 华中科技大学电子科学与技术系，武汉 430074 湖北台基半导体股份有限公司,湖北襄阳 441021

会议类型: 国内会议

会议名称: 第2届全国脉冲功率会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 876-880

在线出版日期: 2011-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）