热电子与聚变等离子体相互作用模拟计算的误差分析
文中对典型条件下聚变等离子体（DD，DT）中热电子的射程岐离和散射进行了分析。结果表明，射程岐离和散射随射程增加近似呈直线增加；射程岐离和散射大小与质量有一定关系。在单能粒子入射下，散射是计算的结果误差的组要来源，这误差在5％以下，绝对数在数十兆安培。使得最低入射束流的电子完全沉积在热斑中的聚焦角度，在边沿点火中，氘等离子体中为20.64℃，氘氚等离子体中为21.8℃；在中心加热中，氘等离子体中为16.36℃，氘氚等离子体中为17.6 ℃，在技术上相对易于实现。
热电子 聚变等离子体 射程岐离 散射
王衍斌
中国工程物理研究院激光聚变研究中心,中国 四川 绵阳 621900
国内会议
贵阳
中文
319-322
2012-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）