中子深度分析能量展宽的蒙特卡罗模拟
离子在样品内的能量岐离将改变中子深度分析的多道离子能谱分布。本文基于SRIM程序,分析了10B(n,α)7Li反应产生的四种离子穿过硅材料后的能量离散情况,获得了四种离子的能谱分布拟合函数,为中子深度分析技术提供了能量GAUSS展宽的数学模型。同时从理论上演示了离子的能量岐离对测量谱的影响。
中子深度分析技术 能量岐离 蒙特卡罗方法 SRIM程序 拟合函数
窦海峰 李润东 袁姝 冷军
中国工程物理研究院 核物理与化学研究所,绵阳 621900
国内会议
贵阳
中文
337-340
2012-06-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)