质子和中子在硅中位移损伤等效性计算
本文基于蒙特卡罗软件Geant4,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算得到不同能量中子和质子在硅中的非电离能量阻止本领及其等效性。
原子核反应 沉积率 等效性 库仑散射 蒙特卡罗软件
王园明 郭晓强 陈伟 罗尹虹
西北核技术研究所 西安 710024
国内会议
贵阳
中文
363-365
2012-06-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)