MOS管长期辐射效应的数值模拟

摘要：

　　本文将粒子输运的蒙特卡罗方法与器件数值模拟的有限体积法相耦合来模拟典型MOS管的长期辐射效应。使用漂移扩散模型来描述二氧化硅中的陷阱电荷及硅中的自由电子和空穴。入射粒子的能量沉积作为源项耦合至漂移扩散模型方程，并根据有限体积法得到控制方程的离散格式。使用该方法模拟了MOS管受射线粒子辐照后的阈值电压漂移与关态漏电流现象，结果与文献符合较好。

关键词： 金属氧化物半导体器件 辐射效应 蒙特卡罗法 有限体积法

作者: 韦源 谢红刚 贡顶 朱金辉 牛胜利 黄流兴

作者单位: 西北核技术研究所 西安 710024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国蒙特卡罗方法及其应用学术交流会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 366-369

在线出版日期: 2012-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）