X射线在金/硅界面的剂量增强效应模拟研究

摘要：

　　为了研究X射线入射方向对界面剂量增强的影响，通过建立一个典型的金/硅界面结构模型，采用蒙特卡罗方法计算了不同能量X射线入射金/硅界面材料的输运过程，其中X射线产生的次级电子在介质中输运使用了单次碰撞直接模拟方法。计算研究了不同能量X射线入射下金/硅界面的剂量增强因子随金属材料厚度的变化规律。

关键词： X射线 金属材料 蒙特卡罗方法 剂量增强效应 次级电子

作者: 卓俊 黄流兴 牛胜利 朱金辉

作者单位: 西北核技术研究所,陕西 西安 710024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国蒙特卡罗方法及其应用学术交流会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 379-382

在线出版日期: 2012-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）