X射线在金/硅界面的剂量增强效应模拟研究
为了研究X射线入射方向对界面剂量增强的影响,通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,采用蒙特卡罗方法计算了不同能量X射线入射金/硅界面材料的输运过程,其中X射线产生的次级电子在介质中输运使用了单次碰撞直接模拟方法。计算研究了不同能量X射线入射下金/硅界面的剂量增强因子随金属材料厚度的变化规律。
X射线 金属材料 蒙特卡罗方法 剂量增强效应 次级电子
卓俊 黄流兴 牛胜利 朱金辉
西北核技术研究所,陕西 西安 710024
国内会议
贵阳
中文
379-382
2012-06-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)