一种基于时序拆借的抗老化BIST设计

摘要：

　　随着不断缩小的工艺尺寸，以NBTI为主导的老化因素对VLSI器件寿命的影响尤为突出。针对老化引起的时序违规，提出一种抗老化的结构设计：TFM-CBILBO。在一种BIST结构——并发内建逻辑块观察器的基础上，复用其中原本不工作的时序单元，根据电路老化程度切换工作模式，有效防止时序违规的发生。在UMC0.18μm工艺下进行实验，结果表明，TFM-CBILBO面积开销为20.50%～3.2％，相比非时序拆借方案时延开销降低40.0％～71.6％。

关键词： CMOS集成电路 抗老化设计 内建自测试法 并发内建逻辑块观察器 电路设计

作者: 杨叔寅 梁华国 黄正峰 徐辉 秦晨飞

作者单位: 合肥工业大学计算机与信息学院,合肥 230009 合肥工业大学电子科学与应用物理学院,合肥 230009

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 55-60

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）