Scalable 0.18 μm射频-锗硅HBT器件工艺技术

摘要：

　　锗硅是一种继硅和砷化镓之后的重要半导体材料。由于SiGe HBT器件可达到化合物半导体器件性能，且与传统体硅工艺兼容，因此具有很多优势.介绍笔者开发的Scalable 0.18μm射频-锗硅HBT器件工艺，说明HBT器件的电特性，器件电压范围覆盖主要的电路设计需求.从工艺器件特性改善方面，介绍了高压HBT器件的性能。

关键词： 锗硅半导体 异质结双极晶体管 射频工艺 性能测试

作者: 王灼平 邵华

作者单位: 上海宏力半导体制造有限公司,上海 201203

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 101-103

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）