SiGe RPCVD流体动力学模拟

摘要：

　　基于商用RPCVD设备结构参数，建立了RPCVD反应室结构模型；基于反应室模型，计算了雷诺数Re，确定了RPCVD的流体模型；采用FLUENT软件，模拟了RPCVD反应室的温度场、密度场、速度场，并确定了工艺优化参数。

关键词： 锗硅异质结材料 减压化学汽相淀积 计算流体动力学 模拟仿真 工艺优化

作者: 戴显英 竹毅初 邵晨峰 吉瑶 郭静静 宁静 郝跃 张鹤鸣 王晓晨 李志 王琳 查冬

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 104-107

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）