薄层高阻外延工艺技术研究

摘要：

　　对薄层高阻外延片的现状与趋势进行了分析，提出了本研究的技术指标，对疏水效应、退火效应等四项关键技术进行了研究，对应用前景进行了探讨。

关键词： 电子器件 外延工艺 薄层高阻 技术指标

作者: 李智囊

作者单位: 中国电子科技集团公司第24研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 115-117

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）