一种适用于高压双极工艺的单晶深槽介质隔离技术研究

摘要：

　　通过对P-N结隔离和SOI全介质隔离技术的对比研究，提出了一种适用于100V以内的单晶硅深槽介质隔离工艺，隔离电压100V时，相邻隔离岛之间的最大漏电流小于0.5nA，隔离击穿耐压高达150V，完全满足器件隔离要求。采用该技术，运用于互补双极工艺，成功研制出一种双路高压运算放大器，其中单个NPN晶体管面积减小约46％，芯片面积比同类产品缩小三分之一。

关键词： 集成电路 单晶深槽介质 双极工艺 隔离技术

作者: 梁涛 税国华 王志宽 李小刚

作者单位: 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 127-129

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）