垂直硅纳米线工艺研究
硅纳米线工艺是制造纳米级围栅MOSFET的关键环节。研究了一种采用自上而下方案制造垂直硅纳米线的工艺技术。利用传统光刻技术，将圆形掩模图案转移到硅片表面；采用注入SF6和C4F8的感应耦合等离子体刻蚀工艺，制作垂直于衬底的微米级光滑硅柱；通过分步湿法氧化减薄，结合干法氧化减薄工艺，将硅柱直径缩减到亚50nm。该方案不需要昂贵的电子束光刻设备，并使硅柱直径的缩减速度大为提高，还有利于改善纳米线的垂直度和表面光滑度。
金属-氧化物-半导体器件 硅纳米线 光刻技术 氧化减薄工艺 刻蚀工艺
李尊朝 尤一龙 张国和 张莉丽 崔吾元
西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049
国内会议
三亚
中文
141-144
2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）