晶圆级单轴应变SOI研究

摘要：

　　将4英寸SOI片在自制的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲的硅片在250℃下退火20h，得到了单轴张应变的SOI样品。弯曲半径为0.75m的应变SOI样品的拉曼频移为520.3cm-1，相对于体硅，其拉曼频移差为-0.3cm-1，高于文献报道的0.23cm-1.

关键词： 集成电路 单轴应变 弹塑性力学 绝缘层上硅技术

作者: 戴显英 付毅初 杨程 郑若川 王琳 张鹤鸣 郝跃 王宗伟 宁静 王晓晨 查冬 李志

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 145-147

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）