超薄SGOI(GOI)材料制备及其性质

摘要：

　　基于氧化SOI基SiGe过程中硅被选择性氧化，而锗被排斥浓缩在氧化层之间，制备出不同组份SGOI和超薄GOI材料，优化设计了氧化和退火过程，对锗浓缩法形成的SGOI(GOI)材料结构、锗组份、应变、表面形貌等参数演化进行了系统的表征。结果表明，制备的SGOI材料具有较好的结晶质量、锗组份可控、表面平整等特点，其应变的变化仍遵从SiGe临界厚度的限制。获得了11nm厚的高质量超薄GOI材料，在微电子和光电子集成器件领域将具有广阔的应用前景。

关键词： 集成电路 绝缘层上锗硅材料 氧化特性 退火处理 结构特征

作者: 李成 胡美娇 卢卫芳 蔡坤煌 张永 徐剑芳 黄巍 赖虹凯 陈松岩

作者单位: 厦门大学物理系半导体光子学研究中心,福建厦门 361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 148-150

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）