一种集成SOI CMOS的高性能SiGe HBT制作

摘要：

　　介绍了一种集成SOI CMOS的纵向异质结双极晶体管(HBT)制作方法。由于采用新颖的全耗尽集电区结构，从而可以在薄的SOI硅膜上实现HBT和MOS器件结构和工艺的兼容，为高性能集成电路制造提供了新的解决方案。

关键词： 异质结双极晶体管 绝缘层上硅材料 CMOS集成技术 结构特征 制作工艺

作者: 张静 谭开洲 崔伟 唐昭焕

作者单位: 模拟集成电路重点实验室,重庆 400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 151-153

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）