He+离子注入制备弛豫SiGe薄层的研究

摘要：

　　对在Si衬底上利用减压化学沉积法外延生长的180nm厚的Si0.75Ge0.25进行He+离子注入和快速热退火.X射线衍射(XRD)和拉曼(Raman)测试结果表明，SiGe层中应力得到释放。原子力显微镜(AFM)结果表明，SiGe层的表面粗糙度无明显变化.透射电子显微镜(TEM)结果显示顶层锗硅穿透位错少，界面处有失配位错，在Si中注He峰值处和界面间能观察到注He+引入的位错环和界面间的相互作用，此相互作用被认为是应力释放的主要物理机制.

关键词： 弛豫硅锗材料 半导体薄膜 氦离子注入 减压化学气相沉积 工艺参数

作者: 刘林杰 狄增峰 薛忠营 陈达 姜海涛 叶林 张苗

作者单位: 中科院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 160-163

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）