退火对SiGe弛豫衬底热稳定性的影响
采用低温Ge缓冲层技术制备出SiGe虚衬底结构，研究常规退火对其热稳定性的影响。当退火温度为600℃时，我们可以获得弛豫度为98％的虚衬底结构，而SiGe合金层的组分不变。当退火温度达到800℃时，底层的低温锗(LT-Ge)与上层的SiGe合金发生互扩散。当退火温度为1000℃时，Ge层融化变为液体，底层的Si层会向LT-Ge层扩散，并在界面处形成一层100nm厚且Ge组分较大的SiGe合金层。我们发现，Ge在SiGe合金和Si中的扩散系数会随退火温度的升高而变化；不同的扩散系数会引起SiGe弛豫衬底热稳定性的变化。
硅锗异质材料 弛豫度 退火处理 化学气相沉积 热稳定性
亓东锋 刘翰辉 陈松岩 李成 赖虹凯 黄巍 李俊
厦门大学物理系半导体光子学研究中心,福建厦门 361005
国内会议
三亚
中文
164-165
2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）