硅基低位错密度锗薄膜的RPCVD外延生长

摘要：

　　采用减压化学气相沉积(RPCVD)设备在<001>Si衬底上外延生长了Ge薄膜材料，通过TEM、XRD、Raman和AFM等测试分析表明，Ge外延薄膜具有很好的晶体质量和0.17％的张应变，低温缓冲Ge薄层对位错密度起到了很好的控制。采用低的生长温度有利于获得高质量的Ge外延薄膜，350℃和600℃低温/高温两步生长的1.15μm锗薄膜位错密度为6×106cm-2.

关键词： 锗薄膜材料 外延生长 位错密度 减压化学气相沉积

作者: 卞剑涛 薛忠营 陈达 刘林杰 姜海涛 狄增峰 张苗

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 174-177

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）