掺铒纳米晶硅光致发光特性研究

摘要：

　　将铒离子注入到含有纳米硅晶的SiO2层中，发现纳米硅晶经1100℃退火处理可得到较强的光致发光光谱。掺铒纳米晶的光致发光随着退火温度的升高逐渐增强，认为较高的退火温度可减少非晶硅层，降低激发态铒离子与非晶硅间的能量背迁移，抑制了温度淬灭现象。

关键词： 半导体材料 纳米晶硅 光致发光特性 离子注入 退火温度

作者: 郝秋艳 刘彩池 解新建 乔治 董莉菲

作者单位: 河北工业大学信息功能材料研究所,天津 300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 186-188

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）