CUSP磁场中CZ硅氧浓度分布的数值模拟

摘要：

　　利用FEAMG-CZ软件模拟研究了cusp磁场对称面(定义为0高斯面)与熔体自由表面距离对直拉硅固液界面氧浓度分布的影响。结果表明：随着O高斯面的下移，熔体中的最小氧浓度降低，而固液界面的氧浓度却升高，且径向均匀性变差.分析表明，这与熔体自由表面处的Marangoni流有关，该流动受到抑制，利于熔体中氧的蒸发，从而在自由表面下获得更低氧浓度的熔体，但阻碍了自由表面下方低氧熔体往固液界面的输运.因此推断：当O高斯面位于熔体自由表面下某一位置时，固液界面氧浓度将达到最低(本模拟中位于Hm=0～0.0l1 m之间).

关键词： 半导体材料 硅单晶 cusp磁场 氧浓度分布 数值模拟

作者: 王永涛 徐文婷 戴小林 肖清华 闫志瑞 周旗钢

作者单位: 有研半导体材料股份有限公司,北京100088 北京有色金属研究总院,北京 100088 有研半导体材料股份有限公司,北京100088

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 196-198

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）