热屏底端位置对生长300 mm硅单晶热场影响的数值模拟

摘要：

　　数值模拟技术是分析和优化大直径硅单晶生长的有效工具。采用有限元分析软件FEMAG-CZ计算了在700mm热场中生长300mm直拉单晶硅的过程中，当热屏底端处于不同位置时热场中的温度分布。模拟中考虑了熔体和气流流动对晶体生长过程的影响，通过对生长界面上V/G比值、热应力的分析，得出：在该热场中尽量低的坩埚位置和距晶体适当近的热屏底端位置有利于生长高质量晶体。模拟计算结果表明，在该热场条件下，最佳热屏位置是热屏底端距晶体和距熔体自由液面距离依次为75mm和120mm。

关键词： 半导体材料 直拉硅单晶 数值模拟 热屏低端位置 固液界面

作者: 滕冉 戴小林 徐文婷 肖清华 周旗钢

作者单位: 北京有色金属研究总院,北京 100088 有研半导体材料股份有限公司,北京 100088 有研半导体材料股份有限公司,北京 100088

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 221-224

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）