应变Ge价带色散模型研究

摘要：

　　基于kp微扰理论，通过引入应变哈密顿微扰项，推导建立了双轴应变Ge(100)价带色散关系模型。模型适于任意晶向弛豫Si1-xGex虚衬底上的应变Ge，通过该模型可获得任意K方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量。

关键词： 半导体材料 应变锗 价带结构 kp微扰理论 色散关系模型

作者: 戴显英 宁静 付毅初 王宗伟 宋建军 张鹤呜 郝跃 王琳 王晓晨 查冬 李志

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 232-236

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）