非埋层隔离式高压N型沟道LDMOS器件设计

摘要：

　　介绍了一种新颖的非埋层隔离式高压N型沟道LDMOS器件，采用独特的双N型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单N型深阱，在提高器件耐压的同时优化了比导通电阻，从而大大提升了器件性能。同时，非埋层工艺使成本大幅下降。

关键词： 横向扩散金属氧化物半导体 双N型深阱结构 非埋层工艺 结构特征 性能优化

作者: 陈华伦 陈瑜 刘剑 孙尧 段文婷

作者单位: 上海华虹NEC电子有限公司,上海 201206

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 237-240

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）