一种提高高压P型LDMOS隔离能力的方法

摘要：

　　提出了一种提高高压P型LDMOS隔离能力的方法。通过一步深N型阱和一步浅N型阱来替代传统的单深N型阱工艺和结构，在确保高压PLDMOS器件在垂直方向上的PNP穿通问题与传统结构工艺相当的同时，大幅提高同尺寸隔离环的隔离能力。

关键词： 横向扩散金属氧化物半导体 穿通问题 隔离能力 工艺结构

作者: 孙尧 刘剑 段文婷 陈瑜 陈华伦

作者单位: 上海华虹NEC电子有限公司,上海 201206

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 241-243

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）