微波低噪声锗硅功率HBT的性能优化和良率提升
介绍了具有自主知识产权的微波低噪声锗硅(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)，给出了器件的基本结构及它的基本工艺流程。通过对集电区埋层、外延浓度和厚度，选择性离子注入、锗硅外延厚度、硅、锗、硼的相互位置、发射极窗口介质选择、发射极多晶硅生长条件等的优化，可得到优异的器件直流和射频性能，并得到超过98％的成品率。本产品应用于2 GHz频率的低噪声放大器，已经进入批量生产。
锗硅异质结双极晶体管 直流性能 射频性能 性能优化 低噪声放大器
周正良 付军 王玉东 李高庆 崔杰 赵悦 许平 刘志弘 钱文生 周天舒 肖胜安 李昊 季伟 刘鹏 黄景丰 张伟
上海华虹NEC电子有限公司,上海201206 清华大学微电子学研究所,北京 100084
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2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）