Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型

摘要：

　　在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明，当Ge沟道长度小于200mm时，阈值电压受沟道长度、虚拟衬底Ge组份、衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度等因素的影响较大；而对于500衄以上的沟道长度，可忽略短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响。

关键词： 金属-氧化物-半导体场效应管 短沟道效应 阈值电压 锗沟道 漏致势垒降低效应

作者: 李志 戴显英 查冬 王晓晨 王琳 付毅初 宁静 杨程 郑若川

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 253-256

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）